• MJF127G Bipolaire (BJT) transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W door gat
MJF127G Bipolaire (BJT) transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W door gat

MJF127G Bipolaire (BJT) transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W door gat

Productdetails:

Plaats van herkomst: Oorspronkelijk
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: MJF127G

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Doos
Levertijd: 1-3 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100,000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Type transistor: PNP - Darlington Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 0.208333333
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 100 V (Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: 10µA De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Vermogen - Max.: 2 W Werktemperatuur: -65°C ~ 150°C (TJ)

Productomschrijving

MJF127G Bipolaire (BJT) transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W door gat
 
Specificaties van MJF127G

 

TYPE Beschrijving
Categorie Discrete halfgeleiderproducten
  Transistors
  Bipolair (BJT)
  enkelvoudige bipolaire transistors
Mfr een half
Reeks -
Pakket Buis
Type transistor PNP - Darlington
Stroom - collector (Ic) (max) 0.208333333
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max) 100 V
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic 3.5V @ 20mA, 5A
Stroom - collectievergrens (maximaal) 10 μA
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 3A, 3V
Vermogen - Max. 2 W
Frequentie - Overgang -
Werktemperatuur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montage-type Door het gat
Pakket / doos TO-220-3 Volledige verpakking
Verpakking van de leverancier TO-220FP
Basisproductnummer MJF127

 
Kenmerken van MJF127G


• Elektrisch vergelijkbaar met de populaire TIP122 en TIP127
• 100 VCEO ((sus)
• 5,0 Een nominale collectie-stroom
• Geen isolatiewasser nodig
• Verminderde systeemkosten
• Hoge gelijkstroomwinst − 2000 (min) @ IC = 3 Adc
• UL erkend, dossier #E69369, tot 3500 VRMS isolatie
• Er zijn Pb-vrije pakketten beschikbaar*
 
Beschrijvingen vanMJF127G

 

Ontworpen voor algemene versterkers en schakeltoepassingen, waarbij het montageoppervlak van het apparaat elektrisch moet worden geïsoleerd van de radiator of het chassis.

 


Milieuclassificaties en exportclassificaties vanMJF127G
 

AANZET Beschrijving
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) Niet van toepassing
REACH-status REACH Niet aangetast
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
MJF127G Bipolaire (BJT) transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W door gat 0
 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MJF127G Bipolaire (BJT) transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W door gat kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.