• NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND

NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND

Productdetails:

Plaats van herkomst: origineel
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: NCV5183DR2G

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Kartondoos
Levertijd: 1-3working dagen
Betalingscondities: T/T, L/C
Levering vermogen: 100.000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Inputtype: Niet-omkeert Hoog Zij Maximum Voltage - (Laarzentrekker): 600 V
Stijgings/Daling Tijd (Type): 12ns, 12ns Werkende temperatuur: -40°C ~ 125°C (TJ)
Opzettend Type: De oppervlakte zet op Pakket/Geval: 8-SOIC (0,154“, 3.90mm Breedte)
Het Pakket van het leveranciersapparaat: 8-SOIC Het Aantal van het basisproduct: NCV5183

Productomschrijving

NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND

 

Half-Bridge Gate Driver IC Niet-inverterend 8-SOIC

 

Specificaties van NCV5183DR2G

 

TYPE BESCHRIJVING
Categorie Geïntegreerde schakelingen (IC's)
Energiebeheer (PMIC)
Poort chauffeurs
Mfr onssemi
Serie Automobiel, AEC-Q100
Pakket Band & Spoel (TR)
Snijband (CT)
Digi-Reel®
product status Actief
Digi-Key Programmeerbaar Niet geverifieerd
Gedreven configuratie Halve brug
Kanaaltype Onafhankelijk
Aantal chauffeurs 2
Type poort N-kanaal MOSFET
Spanning - voeding 9V ~ 18V
Logische spanning - VIL, VIH 1,2 V, 2,5 V
Stroom - Piekoutput (Source, Sink) 4.3A, 4.3A
Invoertype Niet-inverterend
Hoge spanning aan de zijkant - Max (Bootstrap) 600 V
Stijgings-/dalingstijd (type) 12ns, 12ns
Bedrijfstemperatuur -40°C ~ 125°C (TJ)
Montage type Opbouwmontage
Pakket / koffer 8-SOIC (0,154", 3,90 mm breed)
Toestelpakket leverancier 8-SOIC
Basisproductnummer NCV5183

 

Kenmerken vanNCV5183DR2G

 
Automotive gekwalificeerd voor AEC Q100
Spanningsbereik: tot 600 VdV/dt-immuniteit
Poortaandrijving Voedingsbereik van 9 V tot 18 V
Uitgangsbron / zinkstroomvermogen 4,3 A / 4,3 A
Compatibel met 3,3 V en 5 V ingangslogica
Verlengde toegestane spanningsschommeling van de negatieve brugpen tot -10 V
Gematchte voortplantingsvertragingen tussen beide kanalen
Voortplantingsvertraging typisch 120 ns
Onder VCC LockOut (UVLO) voor beide kanalen
Pin-to-pin compatibel met industriestandaarden
Dit zijn Pb-vrije apparaten
 

toepassingen vanNCV5183DR2G

 
Voedingen voor Telecom en Datacom
Half-Bridge en Full-Bridge Converters
Push-Pull-omzetters
Hoogspannings synchrone-buck-converters
 
 

Milieu- en exportclassificaties vanNCV5183DR2G

 

ATTRIBUUT BESCHRIJVING
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status REACH Onaangetast
ECCN OOR99
HTSUS 8542.39.0001
 

 

NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND 0

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.