• TPH2R306NH1, LQ N-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-sop Vooruitgangsoppervlakte opzetten
TPH2R306NH1, LQ N-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-sop Vooruitgangsoppervlakte opzetten

TPH2R306NH1, LQ N-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-sop Vooruitgangsoppervlakte opzetten

Productdetails:

Plaats van herkomst: origineel
Merknaam: Original
Certificering: Original
Modelnummer: TPH2R306NH1, LQ

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Kartondoos
Levertijd: 1-3working dagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100.000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Artikelnummer: TPH2R306NH1, LQ FET Type: N-Channel
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): 60 V Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: 4V @ 1mA (Maximum) Vgs: ±20V

Productomschrijving

TPH2R306NH1, LQ N-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-sop Vooruitgangsoppervlakte opzetten

 

N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta) de Oppervlakte, van 170W (Tc) zet 8-sopt Vooruitgang op (5x5.75)

 

Eigenschappen van TPH2R306NH1, LQ

 

FET Type N-Channel
Technologiemosfet (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 136A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs (Maximum) ±20V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6100 pF @ 30 V
Machtsdissipatie (Maximum) 800mW (Ta), 170W (Tc)

 

Specificaties van TPH2R306NH1, LQ

 

Mfr
De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Reeks
U-mosviii-h
Product
 
TPH2R306NH1, LQ
FET Type
N-Channel
Pakket Band & Spoel
Technologie
MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)
60 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C
136A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart
4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs
nC 72 @ 10 V
(Maximum) Vgs
±20V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds
6100 pF @ 30 V
FET Eigenschap
-
(Maximum) machtsdissipatie
800mW (Ta), 170W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C
Opzettend Type
De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat
8-sop Vooruitgang (5x5.75)
Pakket/Geval
8-PowerTDFN

Milieu & de Uitvoerclassificaties

 

ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
Vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau (MSL) 1 (Onbeperkt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

TPH2R306NH1, LQ N-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-sop Vooruitgangsoppervlakte opzetten 0

 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd TPH2R306NH1, LQ N-Channel 60 V 136A 800mW 170W 8-sop Vooruitgangsoppervlakte opzetten kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.