• MMBT2907ALT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW
MMBT2907ALT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

MMBT2907ALT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

Productdetails:

Plaats van herkomst: originele
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: MMBT2907ALT1G

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Doos
Levertijd: 1-3 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100,000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Type transistor: PNP Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 600 mA
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 60 V (Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: 10nA (ICBO) De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Vermogen - Max.: 300 mW Frequentie - Overgang: 200 MHz

Productomschrijving

MMBT2907ALT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW


Specificaties van MMBT2907ALT1G

 

TYPE Beschrijving
Categorie Discrete halfgeleiderproducten
  Transistors
  Bipolair (BJT)
  enkelvoudige bipolaire transistors
Mfr een half
Reeks -
Pakket Tape & Reel (TR)
  Snijdband (CT)
Type transistor PNP
Stroom - collector (Ic) (max) 600 mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max) 60 V
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Stroom - collectievergrens (maximaal) 10nA (ICBO)
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Vermogen - Max. 300 mW
Frequentie - Overgang 200 MHz
Werktemperatuur -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpakking van de leverancier SOT-23-3 (TO-236)
Basisproductnummer MMBT2907

 
Kenmerken van MMBT2907ALT1G


• S voorvoegsel voor automobiel- en andere toepassingen waarvoor unieke site- en besturingswijzigingsvereisten vereist zijn;

AEC-Q101 Kwalificeerd en PPAP-bekwaam
• Deze apparaten zijn Pb-vrij, halogeenvrij/BFRvrij en voldoen aan de RoHS-normen
 
Toepassingen vanMMBT2907ALT1G


2F = Code van het apparaat
M = Datumcode*
* Datum Code oriëntatie en/of overbalk
de productieplaats verschillen.
 
Milieu &Exportclassificaties van 
MMBT2907ALT1G
 

AANZET Beschrijving
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status REACH Niet aangetast
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
MMBT2907ALT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW 0

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MMBT2907ALT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.