 |
FDV301N N-kanaal 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Oppervlaktebevestiging SOT-23-3
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | Oorspronkelijk |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | FDV301N |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Doos |
| Levertijd: | 3-5 dagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 1000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| FET-type: | N-kanaal | Technologie: | MOSFET (Metaaloxide) |
|---|---|---|---|
| Drain naar bronspanning (Vdss): | 25 V | 25 V: | 220mA (Ta) |
| Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On): | 2.7V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 400mA, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.06V @ 250μA | Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs: | 0,7 nC @ 4,5 V |
| Vgs (max): | ±8V | ||
Productomschrijving
FDV301N N-kanaal 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Oppervlaktebevestiging SOT-23-3
Specificaties van FDV301N
| TYPE | Beschrijving |
| Categorie | Discrete halfgeleiderproducten |
| Transistors | |
| FET's, MOSFET's | |
| Eénvoudige FET's, MOSFET's | |
| Mfr | een half |
| Reeks | - |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Snijdband (CT) | |
| Productstatus | Actief |
| FET-type | N-kanaal |
| Technologie | MOSFET (metaaloxide) |
| Drain naar bronspanning (Vdss) | 25 V |
| Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C | 220 mA (Ta) |
| Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.06V @ 250μA |
| Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs | 00,7 nC @ 4,5 V |
| Vgs (max) | ± 8V |
| Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5 pF @ 10 V |
| FET-kenmerk | - |
| Energieverspilling (max) | 350 mW (Ta) |
| Werktemperatuur | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Montage-type | Oppervlakte |
| Verpakking van de leverancier | SOT-23-3 |
| Pakket / doos | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Basisproductnummer | FDV301 |
Kenmerken vanFDV301N
• 25 V, 0,22 A Continu, 0,5 A Piek
* RDS(aan) = 5 @ VGS = 2,7 V
* RDS(aan) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Vereisten voor een zeer laag niveau van de toegangspoort die rechtstreekse werking in 3 V-circuits mogelijk maakt.
• Gate-Source Zener voor ESD robuustheid. > 6 kV model van het menselijk lichaam
• Vervang meerdere NPN digitale transistors door één DMOS FET
• Dit apparaat is vrij van Pb− en Halogenide
Toepassingen vanFDV301N
Deze N-Channel-logic level enhancement mode field effect transistor wordt geproduceerd met behulp van onsemi's eigen, hoge celdichtheid, DMOS-technologie.
Milieuclassificaties en exportclassificaties vanFDV301N
| AANZET | Beschrijving |
| RoHS-status | ROHS3-conform |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Niet aangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
