• IS42S16800F-6TL SDRAM geheugen IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
IS42S16800F-6TL SDRAM geheugen IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

IS42S16800F-6TL SDRAM geheugen IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

Productdetails:

Plaats van herkomst: Oorspronkelijk
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: IS42S16800F-6TL

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Doos
Levertijd: 1-3 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100,000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Pakket: Tray Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: DRAM Geheugengrootte: 128Mbit
Organisatie van het geheugen: 8M x 16 Geheugeninterface: Parallel
Clockfrequentie: 166 MHz

Productomschrijving

IS42S16800F-6TL SDRAM geheugen IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
 
Specificaties van IS42S16800F-6TL

 

TYPE Beschrijving
Categorie Geïntegreerde schakelingen (IC's)
  Geheugen
  Geheugen
Mfr ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Reeks -
Pakket Tray
Geheugentype Vluchtig
Geheugenformaat DRAM
Technologie SDRAM
Geheugengrootte 128 Mbit
Organisatie van het geheugen 8M x 16
Geheugeninterface Parallel
Clockfrequentie 166 MHz
Schrijf cyclustijd - woord, pagina -
Toegangstijd 5.4 ns
Spanning - Voeding 3V ~ 3,6V
Werktemperatuur 0°C ~ 70°C (TA)
Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 54-TSOP (0,400", 10,16 mm breedte)
Verpakking van de leverancier 54-TSOP II
Basisproductnummer IS42S16800

 
Kenmerken van IS42S16800F-6TL


• Clockfrequentie: 200, 166, 143 MHz
• Volledig synchroon; alle signalen worden verwezen naar een positieve klokrand
• Interne bank voor verborgen toegang/voorschot
• Stroomvoorziening Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3.3V 3.3V
-IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• LVTTL-interface
• Programmeerbare ontploffingslengte
️ (1, 2, 4, 8, volledige pagina)
• Programmeerbare ontploffingsreeks: sequentieel/interleave
• Automatisch bijwerken (CBR)
• Onszelf verkwikken
• 4096 vernieuwingscycli om de 16 ms (A2-klasse) of 64 ms (Commercial, Industrial, A1-klasse)
• Willekeurig kolomadres elke klokcyclus
• Programmeerbare CAS-latentie (2, 3 uur)
• Vermogen voor het uitlezen/schrijven en voor het uitlezen/schrijven
• Beëindiging van het barsten door middel van het commando barsten stoppen en voorladen
• Temperatuurbereiken:
- Commerciële (0 °C tot + 70 °C)
- Industrieel (-40 °C tot + 85 °C)
-Automotive, A1 (-40°C tot +85°C)
-Automotive, A2 (-40°C tot +105°C)
 
Beschrijvingen vanIS42S16800F-6TL

 


De 128 Mb SDRAM is een snel CMOS-geheugen met dynamisch willekeurig toegangsgeheugen dat is ontworpen om te werken in 3,3 V Vdd- en 3,3 V Vddq-geheugensystemen met 134,217728 bits.

 


Milieuclassificaties en exportclassificaties vanIS42S16800F-6TL
 

AANZET Beschrijving
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 3 (168 uur)
REACH-status REACH Niet aangetast
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0002

 
IS42S16800F-6TL SDRAM geheugen IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II 0
 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd IS42S16800F-6TL SDRAM geheugen IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.