• MJF15031G Bipolaire (BJT) transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W door gat TO-220FP
MJF15031G Bipolaire (BJT) transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W door gat TO-220FP

MJF15031G Bipolaire (BJT) transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W door gat TO-220FP

Productdetails:

Plaats van herkomst: Oorspronkelijk
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: MJF15031G

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Doos
Levertijd: 1-3 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100,000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Type transistor: PNP Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 0.333333333
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 150 V (Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: 10µA De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Vermogen - Max.: 2 W

Productomschrijving

MJF15031G Bipolaire (BJT) transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W door gat TO-220FP
 
Specificaties van MJF15031G

 

TYPE Beschrijving
Categorie Discrete halfgeleiderproducten
  Transistors
  Bipolair (BJT)
  enkelvoudige bipolaire transistors
Mfr een half
Reeks -
Pakket Buis
Type transistor PNP
Stroom - collector (Ic) (max) 0.333333333
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max) 150 V
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Stroom - collectievergrens (maximaal) 10 μA
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 2V
Vermogen - Max. 2 W
Frequentie - Overgang 30 MHz
Werktemperatuur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montage-type Door het gat
Pakket / doos TO-220-3 Volledige verpakking
Verpakking van de leverancier TO-220FP
Basisproductnummer MJF15031

 
Kenmerken van MJF15031G


• Elektrisch vergelijkbaar met de populaire MJE15030 en MJE15031
• Geen isolatiewasser nodig, lagere systeemkosten
• High Current Gain−Bandwidth Product
• UL erkend, dossier #E69369, tot 3500 VRMS isolatie
• Deze apparaten zijn Pb-vrij en voldoen aan de RoHS-normen*


 
Beschrijvingen vanMJF15031G


Ontworpen voor algemene versterker- en schakeltoepassingen, waarbij het montageoppervlak van het apparaat moet worden elektrisch geïsoleerd van de verwarmingsafvoer of het chassis.


 
Milieuclassificaties en exportclassificaties van
MJF15031G
 

AANZET Beschrijving
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) Niet van toepassing
REACH-status REACH Niet aangetast
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
MJF15031G Bipolaire (BJT) transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W door gat TO-220FP 0
 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MJF15031G Bipolaire (BJT) transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 2 W door gat TO-220FP kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.