 |
MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3L geheugen IC 2Gbit Parallel 800 MHz 13,75 ns
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | Oorspronkelijk |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | MT41K128M16JT-125 AAT: K |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Doos |
| Levertijd: | 1-3 werkdagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 100,000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Geheugentype: | Vluchtig | Geheugenformaat: | DRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie: | SDRAM - DDR3L | Geheugengrootte: | 2Gbit |
| Organisatie van het geheugen: | 128M x 16 | Geheugeninterface: | Parallel |
| Clockfrequentie: | 800 MHz | Toegangstijd: | 13.75 ns |
Productomschrijving
MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3L geheugen IC 2Gbit Parallel 800 MHz 13,75 ns
Specificaties van MT41K128M16JT-125 AAT:K
| TYPE | Beschrijving |
| Categorie | Geïntegreerde schakelingen (IC's) |
| Geheugen | |
| Geheugen | |
| Mfr | Micron Technology Inc. |
| Reeks | Automobilerij, AEC-Q100 |
| Pakket | Tray |
| Geheugentype | Vluchtig |
| Geheugenformaat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Geheugengrootte | 2Gbit |
| Organisatie van het geheugen | 128 M x 16 |
| Geheugeninterface | Parallel |
| Clockfrequentie | 800 MHz |
| Schrijf cyclustijd - woord, pagina | - |
| Toegangstijd | 13.75 ns |
| Spanning - Voeding | 1.283V ~ 1.45V |
| Werktemperatuur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Montage-type | Oppervlakte |
| Pakket / doos | 96-TFBGA |
| Verpakking van de leverancier | 96-FBGA (8x14) |
| Basisproductnummer | BT1 BT2 BT3 BT4 |
Kenmerken vanMT41K128M16JT-125 AAT:K
• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283 ∼1,45 V)
• Achterwaarts compatibel met VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Bi-directionele gegevensstrobe
• 8n-bit prefetch architectuur
• Differentiële klokinvoer (CK, CK#)
• 8 interne banken
• Nominale en dynamische terminatie (ODT) voor gegevens-, strobe- en maskersignalen
• Programmable CAS (READ) latency (CL)
• Programmeerbare gepost CAS-additieve latentie (AL)
• Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
• Vaste barstlengte (BL) van 8 en barstkoppeling (BC) van 4 (via de modusregisterset [MRS])
• Selecteerbare BC4 of BL8 on-the-fly (OTF)
• Zelfhernieuwingsmodus
• Vernieuw de maximale intervallentijd bij TC-temperatuur
¥ 64 ms bij ¥ 40°C tot + 85°C
32 ms bij +85°C tot +105°C
16 ms bij +105°C tot +115°C
8 ms bij +115°C tot +125°C
• Temperatuur voor zelfverfrissing (SRT)
• Automatische vernieuwing (ASR)
• Schrijf het niveau
• Meerdoelig register
Beschrijvingen vanMT41K128M16JT-125 AAT:K
Het 1,35V DDR3L SDRAM-apparaat is een laagspanningsversie van het 1,5V DDR3 SDRAM-apparaat.
Milieuclassificaties en exportclassificaties vanMT41K128M16JT-125 AAT:K
| AANZET | Beschrijving |
| RoHS-status | ROHS3-conform |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 3 (168 uur) |
| REACH-status | REACH Niet aangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
