• MMBT3904 van het de Spaander200ma SILICIUM NPN van transistoric EPITAXIAL PLAN
MMBT3904 van het de Spaander200ma SILICIUM NPN van transistoric EPITAXIAL PLAN

MMBT3904 van het de Spaander200ma SILICIUM NPN van transistoric EPITAXIAL PLAN

Productdetails:

Plaats van herkomst: origineel
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: MMBT3904

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Kartondoos
Levertijd: 1-3working dagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100.000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 200 mA Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 40 V
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: 50nA
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Maximum macht -: 300 mW
Frequentie - Overgang: 250MHz Werkende temperatuur: -55°C ~ 150°C (TJ)

Productomschrijving

MMBT3904 van het de Spaander200ma SILICIUM NPN van transistoric EPITAXIAL PLAN
 
De bipolaire Transistor NPN 40 V 200 mA 250MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
Specificaties van MMBT3904
 

TYPE BESCHRIJVING
Categorie Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
Transistors
Bipolair (BJT)
Enige Bipolaire Transistors
Mfr ANBON-BEPERKT (INTERNATIONALE) HALFGELEIDER
Reeks -
Pakket Band & Spoel (RT)
Besnoeiingsband (CT)
Productstatus Actief
Transistortype NPN
Huidig - Collector ((Maximum) Ic) 200 mA
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender 40 V
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding 50nA
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Maximum macht - 300 mw
Frequentie - Overgang 250MHz
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval AAN-236-3, SC-59, DRONKAARD-23-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dronkaard-23
Het Aantal van het basisproduct MMBT390

 
Eigenschappen van MMBT3904

 
• De hoogte collector-emitterbreakdien voltage. (BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
• De kleine transistor van de ladingsschakelaar met Hoge Aanwinst en Lage Verzadiging, wordt ontworpen voor van de Algemeen doelversterker en omschakeling toepassingen bij collectorstroom.
• Geschikt voor 225mW-machtsdissipatie.
• De loodvrije delen voor groene partner, overschrijdt Milieunormen van mil-std-19500/228
• Achtervoegsel „- H“ wijst op halogeen-Vrij ex deel. Mmbt3904-h.

Milieu & de Uitvoerclassificaties van MMBT3904
 

ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
RoHSstatus ROHS3 volgzaam
Vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau (MSL) 1 (Onbeperkt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
MMBT3904 van het de Spaander200ma SILICIUM NPN van transistoric EPITAXIAL PLAN 0

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MMBT3904 van het de Spaander200ma SILICIUM NPN van transistoric EPITAXIAL PLAN kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.