 |
SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET 60 V 2.6A 1.6W Oppervlakte-montage SOT-23-3
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | Oorspronkelijk |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | SI2308CDS-T1-GE3 |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Doos |
| Levertijd: | 1-3 werkdagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 100,000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| FET-type: | N-kanaal | Technologie: | MOSFET (Metaaloxide) |
|---|---|---|---|
| Drain naar bronspanning (Vdss): | 60 V | Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C: | 2.6A (Tc) |
| Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 144 mOhm @ 1,9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA | Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs: | 4 nC @ 10 V |
| Hoog licht: | SOT-23-3 N-kanaal MOSFET,SI2308CDS-T1-GE3 N-kanaal MOSFET,Oppervlakte-montage N-kanaal MOSFET |
||
Productomschrijving
SI2308CDS-T1-GE3 N-kanaal 60 V 2.6A 1.6W Oppervlakte SOT-23-3
Specificaties van SI2308CDS-T1-GE3
| TYPE | Beschrijving |
| Categorie | Discrete halfgeleiderproducten |
| Transistors | |
| FET's, MOSFET's | |
| Eénvoudige FET's, MOSFET's | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Reeks | TrenchFET® Gen IV |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Snijdband (CT) | |
| FET-type | N-kanaal |
| Technologie | MOSFET (metaaloxide) |
| Drain naar bronspanning (Vdss) | 60 V |
| Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144 mOhm @ 1,9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 30 V |
| FET-kenmerk | - |
| Energieverspilling (max) | 1.6W (Tc) |
| Werktemperatuur | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Montage-type | Oppervlakte |
| Verpakking van de leverancier | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pakket / doos | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Basisproductnummer | SI2308 |
Kenmerken van SI2308CDS-T1-GE3
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 100% Rg getest
Toepassingen van SI2308CDS-T1-GE3
• Schakelaar van de batterij
• DC/DC-omvormer
• Laadschakelaar
Milieuclassificaties en exportclassificaties vanSI2308CDS-T1-GE3
| AANZET | Beschrijving |
| RoHS-status | ROHS3-conform |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Niet aangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Wilt u meer details over dit product weten