 |
NSVT45010MW6T1G Bipolaire transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | Oorspronkelijk |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | NSVT45010MW6T1G |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Doos |
| Levertijd: | 1-3 werkdagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 100,000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Type transistor: | 2 PNP (Dual) | Huidig - Collector ((Maximum) Ic): | 100 mA |
|---|---|---|---|
| Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: | 45 V | (Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: | 15nA (ICBO) | De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 220 @ 2mA, 5V |
| Vermogen - Max.: | 380mW | Frequentie - Overgang: | 100 MHz |
| Hoog licht: | NSVT45010MW6T1G,NSVT45010MW6T1G Bipolaire transistorarray,2 PNP Bipolaire Transistor Array |
||
Productomschrijving
NSVT45010MW6T1G Bipolaire transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW
Specificaties van NSVT45010MW6T1G
| TYPE | Beschrijving |
| Categorie | Discrete halfgeleiderproducten |
| Transistors | |
| Bipolair (BJT) | |
| Bipolaire transistorarrays | |
| Mfr | een half |
| Reeks | - |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Snijdband (CT) | |
| Type transistor | 2 PNP (Dual) |
| Stroom - collector (Ic) (max) | 100 mA |
| Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max) | 45 V |
| Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Stroom - collectievergrens (maximaal) | 15nA (ICBO) |
| Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Vermogen - Max. | 380mW |
| Frequentie - Overgang | 100 MHz |
| Werktemperatuur | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Montage-type | Oppervlakte |
| Pakket / doos | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Verpakking van de leverancier | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Basisproductnummer | NSVT45010 |
Kenmerken van NSVT45010MW6T1G
• Huidige winstverhouding tot 10%
• Base-emitterspanning op ≤ 2 mV
• Vervanging van standaardapparatuur
• NSV-prefix voor automobiel- en andere toepassingen waarvoor unieke site- en besturingswijzigingsvereisten vereist zijn; AEC-Q101 gekwalificeerd en PPAP-geschikt
• Deze apparaten zijn Pb-vrij, halogeenvrij/BFRvrij en voldoen aan de RoHS-normen
Beschrijvingen van NSVT45010MW6T1G
Deze transistors zijn ondergebracht in een ultrakleine SOT−363 verpakking, ideaal geschikt voor draagbare producten.het elimineren van de noodzaak van kostbare snoeien. Toepassingen zijn Current Mirrors; Differential, Sense and Balanced Amplifiers; Mixers; Detectors and Limiters.
Milieuclassificaties en exportclassificaties vanNSVT45010MW6T1G
| AANZET | Beschrijving |
| RoHS-status | ROHS3-conform |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Niet aangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
