• MSA1162GT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59
MSA1162GT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59

MSA1162GT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59

Productdetails:

Plaats van herkomst: Oorspronkelijk
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: MSA1162GT1G

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Doos
Levertijd: 1-3 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100,000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Type transistor: PNP Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 100 mA
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 50 V (Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: 100nA De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Vermogen - Max.: 200 mw Frequentie - Overgang: 80MHz

Productomschrijving

MSA1162GT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59
 
Specificaties van MSA1162GT1G

 

TYPE Beschrijving
Categorie Discrete halfgeleiderproducten
  Transistors
  Bipolair (BJT)
  enkelvoudige bipolaire transistors
Mfr een half
Reeks -
Pakket Tape & Reel (TR)
  Snijdband (CT)
Type transistor PNP
Stroom - collector (Ic) (max) 100 mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max) 50 V
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Stroom - collectievergrens (maximaal) 100nA
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Vermogen - Max. 200 mW
Frequentie - Overgang 80 MHz
Werktemperatuur 150°C (TJ)
Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpakking van de leverancier SC-59
Basisproductnummer MSA1162

 

Kenmerken van MSA1162GT1G


• Vochtgevoeligheid: 1
• Dit is een Pb−vrij apparaat

 

 


Milieuclassificaties en exportclassificaties vanMSA1162GT1G
 

AANZET Beschrijving
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status REACH Niet aangetast
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 
MSA1162GT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59 0


 

 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd MSA1162GT1G Bipolaire (BJT) transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59 kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.