• 2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W PCP
2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W PCP

2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W PCP

Productdetails:

Plaats van herkomst: Oorspronkelijk
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: 2SA2013-TD-E

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: kartonnen doos
Levertijd: 1-3 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 100,000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Type transistor: PNP Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 50V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 0.166666667 Huidig - (Maximum) Collectorscheiding: 1 μA (ICBO)
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Vermogen - Max.: 3.5v
Frequentie - Overgang: 400 MHz De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Hoog licht:

2SA2013-TD-E

,

2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP

Productomschrijving

2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W PCP

 

Specificaties van 2SA2013-TD-E

 

TYPE Beschrijving
Categorie Discrete halfgeleiderproducten
  Transistors
  Bipolair (BJT)
  enkelvoudige bipolaire transistors
Mfr een half
Reeks -
Pakket Tape & Reel (TR)
  Snijdband (CT)
Productstatus Actief
Type transistor PNP
Stroom - collector (Ic) (max) 0.166666667
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max) 50 V
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic 340mV @ 100mA, 2A
Stroom - collectievergrens (maximaal) 1 μA (ICBO)
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Vermogen - Max. 3.5 W
Frequentie - Overgang 400 MHz
Werktemperatuur 150°C (TJ)
Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos TO-243AA
Verpakking van de leverancier PCP
Basis Pro2SA2013-TD-E Bipolaire (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3.5 W Oppervlakte PCPductnummer 2SA2013

 

Toepassing van 2SA2013-TD-E


• Relaisstuurapparaten, lampstuurapparaten, motorstuurapparaten, flitsers

 

Kenmerken van 2SA2013-TD-E


• Aanpassing van FBET en MBIT-processen
• Grote stroomcapaciteit
• Lage verzamelaar-emitter verzadigingsspanning
• Hoge snelheidsschakeling
• Ultrakleine verpakking vergemakkelijkt miniaturisatie in eindproducten
• Hoge toegestane vermogensafvoer

 

 

Milieuclassificaties en exportclassificaties van2SA2013-TD-E

 

AANZET Beschrijving
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status REACH Niet aangetast
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W PCP 0

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 2SA2013-TD-E Bipolaire transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W PCP kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.