IRFR3710ZTRPBF Elektronische componenten N-kanaal MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
Productdetails:
Plaats van herkomst: | Origineel |
Merknaam: | original |
Certificering: | original |
Modelnummer: | IRFR3710ZTRPBF |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: | 1 |
---|---|
Prijs: | negotiation |
Verpakking Details: | Doos |
Levertijd: | 3-5 dagen |
Betalingscondities: | T/T |
Levering vermogen: | 1000 |
Gedetailleerde informatie |
|||
FET Type: | N-Channel | Technologie: | MOSFET (Metaaloxide) |
---|---|---|---|
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): | 100 V | Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C: | 42A (Tc) |
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): | 10V | Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: | 18mOhm @ 33A, 10V |
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: | 4V @ 250µA | Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs: | nC 100 @ 10 V |
(Maximum) Vgs: | ±20V | Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds: | 2930 pF @ 25 V |
Hoog licht: | IRFR3710ZTRPBF,IRFR3710ZTRPBF Elektronische componenten,100 V 42A N-kanaal MOSFET |
Productomschrijving
IRFR3710ZTRPBF Elektronische componenten N-kanaal 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Specificaties vanIRFR3710ZTRPBF
TYPE | Beschrijving |
Categorie | Eénvoudige FET's, MOSFET's |
Mfr | Infineon Technologies |
Reeks | HEXFET® |
Pakket | Tape & Reel (TR) |
Productstatus | Actief |
FET-type | N-kanaal |
Technologie | MOSFET (metaaloxide) |
Drain naar bronspanning (Vdss) | 100 V |
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Vgs (max) | ±20V |
Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds | 2930 pF @ 25 V |
FET-kenmerk | - |
Energieverspilling (max) | 140 W (Tc) |
Werktemperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montage-type | Oppervlakte |
Verpakking van de leverancier | D-Pak. |
Pakket / doos | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Basisproductnummer | IRFR3710 |
Kenmerken vanIRFR3710ZTRPBF
* Geavanceerde procestechnologie
* Ultra lage weerstand
* 175°C Werktemperatuur
* Snel schakelen
* Herhalende lawine toegestaan tot Tjmax
* Meerdere pakketopties
* Loodvrij
Toepassingen van IRFR3710ZTRPBF
Deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste verwerkingstechnieken om een extreem lage brandweerstand per siliciumoppervlak te bereiken.Bijkomende kenmerken van dit ontwerp zijn een temperatuur van 175°CDeze eigenschappen maken dit ontwerp tot een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.
Milieuclassificaties en exportclassificaties vanIRFR3710ZTRPBF
AANZET | Beschrijving |
RoHS-status | ROHS3-conform |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
REACH-status | REACH Niet aangetast |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |