 |
IRLML5103TRPBF Elektronische componenten MOSFET P-kanaal 30 V 760mA 540mW
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | Origineel |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | IRLML5103TRPBF |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Doos |
| Levertijd: | 3-5 dagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 1000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| FET Type: | P-Channel | Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): | 30 V |
|---|---|---|---|
| Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C: | 760mA (Ta) | Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: | 600mOhm @ 600mA, 10V | Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: | 1V @ 250µA |
| Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs: | 5.1 nC @ 10 V | (Maximum) Vgs: | ±20V |
| Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds: | 75 pF @ 25 V | (Maximum) machtsdissipatie: | 540mW (Ta) |
Productomschrijving
IRLML5103TRPBF Elektronische componenten MOSFET P-kanaal 30 V 760mA 540mW
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Specificaties vanIRLML5103TRPBF
| TYPE | Beschrijving |
| Categorie | Eénvoudige FET's, MOSFET's |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reeks | HEXFET® |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Productstatus | Actief |
| FET-type | P-kanaal |
| Technologie | MOSFET (metaaloxide) |
| Drain naar bronspanning (Vdss) | 30 V |
| Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C | 760 mA (Ta) |
| Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 25 V |
| FET-kenmerk | - |
| Energieverspilling (max) | 540 mW (Ta) |
| Werktemperatuur | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Montage-type | Oppervlakte |
| Verpakking van de leverancier | Micro3TM/SOT-23 |
| Pakket / doos | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Basisproductnummer | IRLML5103 |
Kenmerken vanIRLML5103TRPBF
* Technologie van generatie V
* Ultralaag weerstand
* P-ChannelMOSFET
* SOT-23 Voetafdruk
* laag profiel (< 1,1 mm)
* Verkrijgbaar op band en rol
* Snel schakelen
* Loodvrij
* RoHS-conform, halogeenvrij
Beschrijvingen vanIRLML5103TRPBF
De vijfde generatie HEXFET's van International Rectifier maken gebruik van geavanceerde verwerkingstechnieken om een extreem lage brandweerstand per siliciumoppervlak te bereiken.In combinatie met de snelle schakelsnelheid en het robuuste ontwerp van het apparaat waarvoor HEXFET Power MOSFET's bekend staan, biedt de ontwerper een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.
Milieuclassificaties en exportclassificaties vanIRLML5103TRPBF
| AANZET | Beschrijving |
| RoHS-status | ROHS3-conform |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Niet aangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
