 |
Irf7341trpbf Draadloze Rf-Modulemosfet 2n-CH 55v 4.7a 8-Soic
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | origineel |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | IRF7341TRPBF |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Kartondoos |
| Levertijd: | 1-3working dagen |
| Betalingscondities: | T/T, L/C |
| Levering vermogen: | 100.000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs: | 36nC @ 10V | Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds: | 740pF @ 25V |
|---|---|---|---|
| Maximum macht -: | 2W | Werkende temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opzettend Type: | De oppervlakte zet op | Pakket/Geval: | 8-SOIC (0,154“, 3.90mm Breedte) |
| Het Pakket van het leveranciersapparaat: | 8-ZO | Het Aantal van het basisproduct: | IRF734 |
Productomschrijving
Irf7341trpbf Draadloze Rf-Modulemosfet 2n-CH 55v 4.7a 8-Soic
Mosfet de Serie55v 4.7A 2W Oppervlakte zet 8-ZO op
Specificaties van IRF7341TRPBF
| TYPE | BESCHRIJVING |
| Categorie | Afzonderlijke Halfgeleiderproducten |
| Transistors | |
| FETs, MOSFETs | |
| FET, MOSFET Series | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reeks | HEXFET® |
| Pakket | Band & Spoel (RT) |
| Besnoeiingsband (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Productstatus | Verouderd |
| Technologie | MOSFET (Metaaloxide) |
| Configuratie | 2 (Dubbel) N-Channel |
| FET Eigenschap | De Poort van het logicaniveau |
| Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) | 55V |
| Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C | 4.7A |
| Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart | 1V @ 250µA |
| Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Maximum macht - | 2W |
| Werkende Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opzettend Type | De oppervlakte zet op |
| Pakket/Geval | 8-SOIC (0,154“, 3.90mm Breedte) |
| Het Pakket van het leveranciersapparaat | 8-ZO |
| Het Aantal van het basisproduct | IRF734 |
Eigenschappen van IRF7341TRPBF
? Generatie V Technologie
? Ultra Lage op-Weerstand
? Dubbele N-Channel Mosfet
? De oppervlakte zet op
? Beschikbaar in Band & Spoel
? Dynamische dv/dt-Classificatie
? Snelle Omschakeling
? Loodvrij
Toepassingen van IRF7341TRPBF
De vijfde Generatie HEXFETs van Internationale Gelijkrichter gebruikt geavanceerde verwerkingstechnieken uiterst te bereiken - lage op-weerstand per siliciumgebied. Dit die voordeel, met de snelle omschakeling wordt gecombineerd speedand maakte apparatenontwerp ruw dat HEXFET-Machtsmosfets goed - gekend voor zijn, voorziet de ontwerper van een uiterst efficiënt en betrouwbaar deviceforgebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen.
Milieu & de Uitvoerclassificaties van IRF7341TRPBF
| ATTRIBUTEN | BESCHRIJVING |
| RoHSstatus | ROHS3 volgzaam |
| Vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau (MSL) | 1 (Onbeperkt) |
| BEREIKstatus | Onaangetast BEREIK |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Wilt u meer details over dit product weten