• BSC900N20NS3GATMA1 Draadloze RF-module Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
BSC900N20NS3GATMA1 Draadloze RF-module Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

BSC900N20NS3GATMA1 Draadloze RF-module Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

Productdetails:

Plaats van herkomst: origineel
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: BSC900N20NS3GATMA1

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiation
Verpakking Details: Kartondoos
Levertijd: 1-3working dagen
Betalingscondities: T/T, L/C
Levering vermogen: 100.000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Productstatus: Actief FET Type: N-Channelxer
Technologie: MOSFET (Metaaloxide) Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): 200 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C: 15.2A (Tc) Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: 4V @ 30µA

Productomschrijving

BSC900N20NS3GATMA1 Draadloze RF-module Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
 

N-kanaal 200 V 15,2 A (Tc) 62,5 W (Tc) Opbouwmontage PG-TDSON-8-5

 

Specificaties vanBSC900N20NS3GATMA1

 

TYPE BESCHRIJVING
Categorie Discrete halfgeleiderproducten
Transistoren
FET's, MOSFET's
Enkele FET's, MOSFET's
Mfr Infineon-technologieën
Serie OptiMOS™
Pakket Band & Spoel (TR)
Snijband (CT)
Digi-Reel®
product status Actief
FET-type N-kanaal
Technologie MOSFET (metaaloxide)
Afvoer naar bronspanning (Vdss) 200 V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C 15.2A (TC)
Stuurspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 10V
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm bij 7,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 11,6 nC bij 10 V
Vgs (maximaal) ±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF bij 100 V
FET-functie -
Vermogensdissipatie (Max) 62,5W (Tc)
Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type Opbouwmontage
Toestelpakket leverancier PG-TDSON-8-5
Pakket / koffer 8-PowerTDFN
Basisproductnummer BSC900

 

Kenmerken vanBSC900N20NS3GATMA1

 

• Geoptimaliseerd voor dc-dc-conversie
• N-kanaal, normaal niveau
• Uitstekende poortlading x R DS(on) product (FOM)
• Lage aan-weerstand R DS(on)
• 150 °C bedrijfstemperatuur
• Loodvrije loodplating;RoHS-conformiteit
• Gekwalificeerd volgens JEDEC1) voor doeltoepassing
• Halogeenvrij volgens IEC61249-2-21

 

Informatie vanBSC900N20NS3GATMA1

 

Voor meer informatie over technologie, leveringsvoorwaarden en prijzen kunt u contact opnemen met het dichtstbijzijnde kantoor van Infineon Technologies (www.infineon.com).

 

Milieu- en exportclassificaties vanBSC900N20NS3GATMA1

 

ATTRIBUUT BESCHRIJVING
RoHS-status ROHS3-conform
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status REACH Onaangetast
ECCN OOR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3GATMA1 Draadloze RF-module Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8 0



 

 

 

 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd BSC900N20NS3GATMA1 Draadloze RF-module Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8 kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.