 |
FM25H20-DG Temperatuursensor Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | origineel |
| Merknaam: | original |
| Certificering: | original |
| Modelnummer: | Fm25h20-DG |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | negotiation |
| Verpakking Details: | Kartondoos |
| Levertijd: | 1-3working dagen |
| Betalingscondities: | T/T, L/C |
| Levering vermogen: | 100.000 |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| pakket: | Buis | Productstatus: | Verouderd |
|---|---|---|---|
| Geheugentype: | Niet-vluchtig | Geheugenformaat: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) | Geheugengrootte: | 2Mbit |
| Geheugenorganisatie: | 256K x 8 | Geheugeninterface: | SPI |
Productomschrijving
FM25H20-DG Temperatuursensor Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (Ferro-elektrisch RAM) Geheugen IC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Specificaties van FM25H20-DG
| TYPE | BESCHRIJVING |
| Categorie | Geïntegreerde schakelingen (IC's) |
| Geheugen | |
| Geheugen | |
| Mfr | Infineon-technologieën |
| Serie | F-RAM™ |
| Pakket | Buis |
| product status | Verouderd |
| Geheugentype | Niet-vluchtig |
| Geheugen Formaat | FRAM |
| Technologie | FRAM (ferroelektrische RAM) |
| Geheugen grootte | 2Mbit |
| Geheugen Organisatie | 256K x 8 |
| Geheugeninterface | SPI |
| Klok Frequentie | 40 MHz |
| Schrijf cyclustijd - woord, pagina | - |
| Spanning - voeding | 2,7V ~ 3,6V |
| Bedrijfstemperatuur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montage type | Opbouwmontage |
| Pakket / koffer | 8-WDFN blootliggende pad |
| Toestelpakket leverancier | 8-DFN (5x6) |
| Basisproductnummer | FM25H20 |
Kenmerken vanFM25H20-DG
■ 2-Mbit ferro-elektrisch willekeurig toegankelijk geheugen (F-RAM) logischgeorganiseerd als 256 K x 8
- Uithoudingsvermogen 100 biljoen (1014) lezen/schrijven
- 151 jaar gegevensbewaring (zie de gegevensbewaringEnuithoudingstabel)
- NoDelay™ schrijft
- Geavanceerd ferro-elektrisch proces met hoge betrouwbaarheid
■ Zeer snelle seriële perifere interface (SPI)
- Frequentie tot 40 MHz
-Directe hardwarevervanging voor seriële flitser enEEPROM
-Ondersteunt SPI-modus 0 (0, 0) en modus 3 (1, 1)
■ Geavanceerd schema voor schrijfbeveiliging
-Hardwarebeveiliging met behulp van de schrijfbeveiliging (WP)pin
-Softwarebeveiliging met behulp van Write Disableinstructie
-Softwareblokkering voor 1/4, 1/2 ofhele reeks
■ Laag stroomverbruik
-1 mA actieve stroom bij 1 MHz
-80nA(typ) stand-bystroom
-3nAslaapstand stroom
■ Laagspanningsbedrijf: VDD = 2,7 V tot 3,6 V
■ Industriële temperatuur –40 C tot +85 C
■ Pakketten
-8-pins Small Outline Integrated Circuit (SOIC)pakket
-8-pins dun dual flat no leads (TDFN) pakket
■ Beperking van gevaarlijke stoffen (RoHS)meewerkend
Toepassingen vanFM25H20-DG
De FM25H20 is een 2-Mbit niet-vluchtig geheugen met eengeavanceerd ferro-elektrisch proces.Een ferroelektrische willekeurige toeganggeheugen of F-RAM is niet-vluchtig en voert lees- en schrijfbewerkingen uitvergelijkbaar met een RAM-geheugen.Het biedt betrouwbare gegevensretentie gedurende 151 jaarterwijl de complexiteit, overhead en systeemniveau worden geëlimineerdbetrouwbaarheidsproblemen veroorzaakt door seriële flash, EEPROM en andereniet-vluchtige herinneringen.
Milieu- en exportclassificaties vanFM25H20-DG
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
| RoHS-status | ROHS3-conform |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Onaangetast |
| ECCN | OOR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Wilt u meer details over dit product weten