• Mosfet van si7232dn-t1-GE3 2N CH Serie 20V 25A 23W PPAK 1212-8
Mosfet van si7232dn-t1-GE3 2N CH Serie 20V 25A 23W PPAK 1212-8

Mosfet van si7232dn-t1-GE3 2N CH Serie 20V 25A 23W PPAK 1212-8

Productdetails:

Plaats van herkomst: origineel
Merknaam: original
Certificering: original
Modelnummer: Si7232dn-t1-GE3

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1
Prijs: negotiable
Verpakking Details: Kartondoos
Levertijd: 1-3working dagen
Betalingscondities: T/T, L/C
Levering vermogen: 100.000
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Productstatus: Actief Technologie: MOSFET (Metaaloxide)
Configuratie: 2 (Dubbel) N-Channel FET Eigenschap: De Poort van het logicaniveau
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): 20V Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C: 25A
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: 1V @ 250µA
Markeren:

Si7232dn-t1-GE3

,

Mosfet Serie 20V 25A 23W

,

20V 25A 23W PPAK

Productomschrijving

Si7232dn-t1-GE3 Huidige Mosfet 2n-CH 20v 25a Ppak 1212-8 van Betekenisweerstanden
 
Mosfet de Serie20v 25A 23W Oppervlakte zet PowerPAK® Dubbele op 1212-8

 

Specificaties van si7232dn-t1-GE3

 

TYPE BESCHRIJVING
Categorie Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
Transistors
FETs, MOSFETs
FET, MOSFET Series
Mfr Vishay Siliconix
Reeks TrenchFET®
Pakket Band & Spoel (RT)
Besnoeiingsband (CT)
Digi-Reel®
Productstatus Actief
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Configuratie 2 (Dubbel) N-Channel
FET Eigenschap De Poort van het logicaniveau
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 25A
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 32nC @ 8V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1220pF @ 10V
Maximum macht - 23W
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval PowerPAK® Dubbele 1212-8
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerPAK® Dubbele 1212-8
Het Aantal van het basisproduct SI7232

 

Eigenschappen van si7232dn-t1-GE3

 

Het pakket van PowerPAK 1212-8 (Figuur 1) is een derivaat van PowerPAK zo-8. Het gebruikt dezelfde verpakkingstechnologie, die het matrijzengebied maximaliseren. De bodem van de matrijs maakt stootkussen vast wordt blootgesteld om een directe, lage weerstands thermische weg aan het substraat te verstrekken het apparaat op wordt opgezet. PowerPAK 1212-8 vertaalt zo de voordelen van PowerPAK zo-8 in een kleiner pakket, met hetzelfde niveau van thermische prestaties. (Te verwijzen gelieve naar toepassingsnota „PowerPAK zo-8 Steun en Thermische Overwegingen door. “)
 

Toepassingen van si7232dn-t1-GE3

 
De het oppervlakte-onderstel van Vishaysiliconix pakketten voldoen de betrouwbaarheids aan vereisten van de soldeerselterugvloeiing. De apparaten worden onderworpen aan soldeerselterugvloeiing aangezien het preconditioneren test en gebruikend temperatuurcyclus, bias vochtigheid, HAST, of drukpot dan betrouwbaarheid-getest. De tempera van de soldeerselterugvloeiing

 

Milieu & de Uitvoerclassificaties van si7232dn-t1-GE3

 

ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
RoHSstatus ROHS3 volgzaam
Vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau (MSL) 1 (Onbeperkt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

Mosfet van si7232dn-t1-GE3 2N CH Serie 20V 25A 23W PPAK 1212-8 0

 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Mosfet van si7232dn-t1-GE3 2N CH Serie 20V 25A 23W PPAK 1212-8 kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.